"

体育竞猜平台✳️【29jin.com】是亚洲最大自主品牌游戏平台,体育竞猜平台,百万大奖等您来拿,注册就可以领取各种活动优惠,体育竞猜平台,无需申请自动到账!

    <wbr id="p3z9x"><pre id="p3z9x"></pre></wbr>

    <sub id="p3z9x"><address id="p3z9x"><nobr id="p3z9x"></nobr></address></sub>
      "
      您好,欢迎访问深圳市富荣达科技有限公司!
      13424229608
      深圳市富荣达科技有限公司
      您的位置:主页 > 产品中心 > DFN3.3x3.3系列 >

      MOS管AON7421_AON74210参数_AON7421中文资料pdf

      发布时间:2020-02-15 13:45人气:
      • AOS美国万代 MOS管AON7421样品图
      • AOS美国万代 MOS管AON7421顶视图
      • AOS美国万代 MOS管AON7421引脚图

      免费提供MOS管AON7421参数以及AON7421中文资料和AON7421中文资料pdf下载阅读观看体育竞猜平台!


      说明

      AON7421结合了先进的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管提供低电阻封装的技术极低的呼吸窘迫综合征(接通)体育竞猜平台。这种装置是负载开关的理想选择和电池?体育竞猜平台;びτ?。


      产品摘要

      VDS   -20V

      ID (at VGS = -10V)   -50A

      RDS(ON)(at VGS = -10V)   <4.6m?

      RDS(ON)(at VGS = -4.5V)   <5.8m?

      RDS(ON)(at VGS = -2.5V)   <9.0m?


      MOS管AON7421参数

      品牌:AOS

      型号:AON7421

      批号:19+

      封装:DFN

      对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

      湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

      制造商标准提前期:16 周

      系列:-

      包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

      FET类型:P沟道

      技术:MOSFET(金属氧化物)

      漏源极电压(Vdss):20V

      电流-连续漏极(Id)(25°C时):30A(Ta),50A(Tc)

      驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V

      不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V@250μA

      不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):114nC@10V

      不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):4550pF@10V

      栅源电压 Vgss:±12V

      FET功能:-

      功率耗散(最大值):6.2W(Ta),83W(Tc)

      不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):4.6毫欧@20A,10V

      工作温度:-55°C~150°C(TJ)

      安装类型:表面贴装(SMT)

      供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)

      封装/外壳:8-PowerWDFN


      推荐资讯

      在线客服
      电话询价
      微信询价
      体育竞猜平台

        <wbr id="p3z9x"><pre id="p3z9x"></pre></wbr>

        <sub id="p3z9x"><address id="p3z9x"><nobr id="p3z9x"></nobr></address></sub>