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说明
AOD407采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(开)体育竞猜平台,低栅极电荷和低栅极电阻。凭借出色的散热性能DPAK包的阻力,这个装置很好适合高电流负载应用。
产品摘要
VDS (V) = -60V
ID = -12A (VGS = -10V)
RDS(ON) <115mW (VGS=-10V)
RDS(ON) <150mW (VGS=-4.5V)
MOS管AOD407参数
品牌:AOS
型号:AOD407
批号:19+
封装:TO-252
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC@10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250μA
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss):60V
系列:-
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)
安装类型:表面贴装(SMT)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):115毫欧@12A,10V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta)体育竞猜平台,50W(Tc)
FET功能:-
栅源电压 Vgss:±20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1185pF@30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):12A(Tc)
FET类型:P沟道
包装:剪切带(CT) ,带卷(TR)
制造商标准提前期:16 周
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求