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说明

AOD407采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(开)体育竞猜平台，低栅极电荷和低栅极电阻。凭借出色的散热性能DPAK包的阻力，这个装置很好适合高电流负载应用。

产品摘要

VDS (V) =   -60V

ID = -12A  (VGS = -10V)

RDS(ON)   <115mW  (VGS=-10V)

RDS(ON)   <150mW  (VGS=-4.5V) 

MOS管AOD407参数

品牌：AOS

型号：AOD407

批号：19+

封装：TO-252

工作温度：-55°C~175°C（TJ）

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC@10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：60V

系列：-

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

安装类型：表面贴装(SMT)

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：115毫欧@12A，10V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）体育竞猜平台，50W（Tc）

FET功能：-

栅源电压 Vgss：±20V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1185pF@30V

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：12A（Tc）

FET类型：P沟道

包装：剪切带（CT） ,带卷（TR） 

制造商标准提前期：16 周

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求