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      MOS管AOD409_AOD409参数_AOD409中文资料pdf

      发布时间:2020-03-04 14:48人气:
      • AOS美国万代 MOS管AOD409样品图
      • AOS美国万代 MOS管AOD409引脚图

      免费提供MOS管AOD409参数以及AOD409中文资料和AOD409中文资料pdf下载阅读观看!


      说明

      沟槽功率中压金属氧化物半导体场效应晶体管技术低呼吸窘迫综合征(接通)低栅极电荷针对快速切换应用进行了优化体育竞猜平台。


      产品摘要

      VDS   -60V

      ID (at VGS = -10V)   -26A

      RDS(ON) (at VGS = -10V)   <40mΩ

      RDS(ON) (at VGS = -4.5V)   <55mΩ


      MOS管AOD409参数

      品牌:AOS

      型号:AOD409

      批号:19+

      封装:TO-252

      不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):3600pF@30V

      栅源电压 Vgss:±20V

      FET功能:-

      功率耗散(最大值):2.5W(Ta),60W(Tc)

      不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.4V@250μA

      技术:MOSFET(金属氧化物)

      系列:-

      对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

      封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

      供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

      安装类型:表面贴装(SMT)

      工作温度:-55°C~175°C(TJ)

      不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):40毫欧@20A,10V

      不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):54nC@10V

      驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

      电流-连续漏极(Id)(25°C时):26A(Tc)

      漏源极电压(Vdss):60V

      FET类型:P沟道

      包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

      制造商标准提前期:16 周

      湿气敏感性等级(MSL):1(无限)


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