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说明

AOD450采用先进的沟槽技术旨在以低栅极电荷提供出色的RDS(开)。该装置适用于逆变器、负载切换和通用应用。

产品摘要

VDS   200V

ID (at VGS = 10V)   3.8A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <0.70? 

MOS管AOD450参数

品牌：AOS

型号：AOD450

批号：19+

封装：TO-252

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）

制造商标准提前期：16 周

系列：-

包装：剪切带（CT） ,带卷（TR） 

FET类型：N沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：200V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.8A（Tc）

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：6V@250μA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.82nC@10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：215pF@25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），25W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：700毫欧@3.8A，15V

工作温度：-55°C~175°C（TJ）

安装类型：表面贴装(SMT)

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63