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说明
AOD450采用先进的沟槽技术旨在以低栅极电荷提供出色的RDS(开)。该装置适用于逆变器、负载切换和通用应用。
产品摘要
VDS 200V
ID (at VGS = 10V) 3.8A
RDS(ON) (at VGS = 10V) <0.70?
MOS管AOD450参数
品牌:AOS
型号:AOD450
批号:19+
封装:TO-252
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
制造商标准提前期:16 周
系列:-
包装:剪切带(CT) ,带卷(TR)
FET类型:N沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss):200V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.8A(Tc)
不同Id时的Vgs(th)(最大值):6V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.82nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):215pF@25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),25W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):700毫欧@3.8A,15V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
安装类型:表面贴装(SMT)
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63