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      MOS管AOD450_AOD450参数_AOD450中文资料pdf

      发布时间:2020-03-07 08:01人气:
      • AOS美国万代 MOS管AOD450样品图
      • AOS美国万代 MOS管AOD450引脚图

      免费提供MOS管AOD450参数以及AOD450中文资料和AOD450中文资料pdf下载阅读观看!


      说明

      AOD450采用先进的沟槽技术旨在以低栅极电荷提供出色的RDS(开)。该装置适用于逆变器、负载切换和通用应用。


      产品摘要

      VDS   200V

      ID (at VGS = 10V)   3.8A

      RDS(ON) (at VGS = 10V)   <0.70? 


      MOS管AOD450参数

      品牌:AOS

      型号:AOD450

      批号:19+

      封装:TO-252

      对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

      湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

      制造商标准提前期:16 周

      系列:-

      包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

      FET类型:N沟道

      技术:MOSFET(金属氧化物)

      漏源极电压(Vdss):200V

      电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.8A(Tc)

      不同Id时的Vgs(th)(最大值):6V@250μA

      不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.82nC@10V

      不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):215pF@25V

      FET功能:-

      功率耗散(最大值):2.1W(Ta),25W(Tc)

      不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):700毫欧@3.8A,15V

      工作温度:-55°C~175°C(TJ)

      安装类型:表面贴装(SMT)

      供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

      封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63


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