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      MOS管AOD2922_AOD2922参数_AOD2922中文资料pdf

      发布时间:2020-03-09 09:01人气:
      • AOS美国万代 MOS管AOD2922样品图
      • AOS美国万代 MOS管AOD2922引脚图

      免费提供MOS管AOD2922参数以及AOD2922中文资料和AOD2922中文资料pdf下载阅读观看!


      说明

      最新沟槽功率晶体管技术极低无线电数据率(开)低栅极电荷针对快速切换应用进行了优化

      符合RoHS和无卤素标准


      产品摘要

      VDS   100V

      ID (at VGS = 10V)   7A

      RDS(ON) (at VGS = 10V)   <140m?

      RDS(ON) (at VGS = 4.5V)   <176m?


      MOS管AOD2922参数

      品牌:AOS

      型号:AOD2922

      批号:19+

      封装:TO-252

      对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

      湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

      制造商标准提前期:16 周

      系列:AlphaMOS

      包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

      FET类型:N沟道

      技术:MOSFET(金属氧化物)

      漏源极电压(Vdss):100V

      电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.5A(Ta),7A(Tc)

      驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

      不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.7V@250μA

      不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10nC@10V

      不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):310pF@50V

      栅源电压 Vgss:±20V

      FET功能:-

      功率耗散(最大值):5W(Ta),17W(Tc)

      不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):140毫欧@5A,10V

      工作温度:-55°C~175°C(TJ)

      安装类型:表面贴装(SMT)

      供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

      封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63


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