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      MOS管AOD4132_AOD4132参数_AOD4132中文资料pdf

      发布时间:2020-03-10 13:30人气:
      • AOS美国万代 MOS管AOD4132样品图
      • AOS美国万代 MOS管AOD4132引脚图

      免费提供MOS管AOD4132参数以及AOD4132中文资料和AOD4132中文资料pdf下载阅读观看!


      说明

      AOD4132采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(开),低栅极电荷和低栅极电阻。这个装置非常适合使用作为中央处理器核心功率转换的低端开关。


      产品摘要

      VDS (V) =   30V

      ID =   85A  (VGS=10V)

      RDS(ON)   <4m?  (VGS=10V)

      RDS(ON)   <6m?  (VGS=4.5V)


      MOS管AOD4132参数

      品牌:AOS

      型号:AOD4132

      批号:19+

      封装:TO-252

      对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

      湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

      系列:-

      包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) 

      FET类型:N沟道

      技术:MOSFET(金属氧化物)

      漏源极电压(Vdss):40V

      电流-连续漏极(Id)(25°C时):24A(Ta)

      不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250μA

      不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14.1nC@10V

      不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):850pF@20V

      FET功能:-

      功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc)

      不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):45毫欧@12A,10V

      工作温度:-55°C~175°C(TJ)

      安装类型:表面贴装(SMT)

      供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

      封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63


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