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说明

AOD4454结合了先进的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管提供低电阻封装的技术极低的呼吸窘迫综合征(接通)。这种设备非常适合升压用于消费者的转换器和同步整流器，电信、工业电源和发光二极管背光。

产品摘要

VDS   150V

ID (at VGS = 10V)   20A

RDS(ON) (at VGS = 10V)   <94m?

RDS(ON) (at VGS = 7V)   <110m? 

MOS管AOD4454参数

品牌：AOS

型号：AOD4454

批号：19+

封装：TO-252

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）

系列：-

包装：剪切带（CT） ,带卷（TR） 

FET类型：N沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9A（Ta），50A（Tc）

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V@250μA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：38nC@10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2200pF@15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），71W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：17毫欧@20A，10V

工作温度：-55°C~175°C（TJ）

安装类型：表面贴装(SMT)

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63