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说明
AOD4454结合了先进的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管提供低电阻封装的技术极低的呼吸窘迫综合征(接通)。这种设备非常适合升压用于消费者的转换器和同步整流器,电信、工业电源和发光二极管背光。
产品摘要
VDS 150V
ID (at VGS = 10V) 20A
RDS(ON) (at VGS = 10V) <94m?
RDS(ON) (at VGS = 7V) <110m?
MOS管AOD4454参数
品牌:AOS
型号:AOD4454
批号:19+
封装:TO-252
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
系列:-
包装:剪切带(CT) ,带卷(TR)
FET类型:N沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss):30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):9A(Ta),50A(Tc)
不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.5V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):38nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2200pF@15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),71W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):17毫欧@20A,10V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
安装类型:表面贴装(SMT)
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63